Fowler-Nordheim tunneling characterization on Poly1-Poly2 capacitors for the implementation of analog memories in CMOS 0.5 𝜇�m technology

TINAJERO PEREZ, ENRIQUE JOSE; Molinar Solis, Jesús Ezequiel; GARCIA LOZANO, RODOLFO ZOLA; Rosales Quintero, Pedro; ROCHA PEREZ, JOSE MIGUEL; DIAZ SANCHEZ, ALEJANDRO; MORALES ACEVEDO, JOSE ARTURO

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dc.contributor.author	TINAJERO PEREZ, ENRIQUE JOSE
dc.contributor.author	Molinar Solis, Jesús Ezequiel
dc.contributor.author	GARCIA LOZANO, RODOLFO ZOLA
dc.contributor.author	Rosales Quintero, Pedro
dc.contributor.author	ROCHA PEREZ, JOSE MIGUEL
dc.contributor.author	DIAZ SANCHEZ, ALEJANDRO
dc.contributor.author	MORALES ACEVEDO, JOSE ARTURO
dc.creator	TINAJERO PEREZ, ENRIQUE JOSE;x1232701
dc.creator	Molinar Solis, Jesús Ezequiel; 38397
dc.creator	GARCIA LOZANO, RODOLFO ZOLA; 91605
dc.creator	Rosales Quintero, Pedro; 122593
dc.creator	ROCHA PEREZ, JOSE MIGUEL; 59874
dc.creator	DIAZ SANCHEZ, ALEJANDRO; 8120
dc.creator	MORALES ACEVEDO, JOSE ARTURO; 783
dc.date.accessioned	2016-02-23T19:10:11Z
dc.date.available	2016-02-23T19:10:11Z
dc.date.issued	2014-02-23
dc.identifier.issn	1687-8124
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/20.500.11799/32544
dc.description.abstract	The experimental results of the Fowler-Nordheim characterization using poly1-poly2 capacitors on CMOS ON Semi 0.5 𝜇m technology are presented. This characterization allows the development, design, and characterization of a newcurrent-mode analog nonvolatile memory. Experimental results of the memory cell architecture are presented and demonstrate the usefulness of the proposed architecture.	es
dc.language.iso	spa	es
dc.publisher	Hindawi Publishing Corporation
dc.rights	openAccess
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject	Fowler-Nordheim
dc.subject.classification	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.title	Fowler-Nordheim tunneling characterization on Poly1-Poly2 capacitors for the implementation of analog memories in CMOS 0.5 𝜇m technology	es
dc.type	Artículo
dc.provenance	Científica
dc.road	Dorada
dc.ambito	Internacional	es
dc.audience	students
dc.audience	researchers
dc.type.conacyt	article
dc.identificator	7

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Título
Fowler-Nordheim tunneling characterization on Poly1-Poly2 capacitors for the implementation of analog memories in CMOS 0.5 𝜇m technology
Autor
TINAJERO PEREZ, ENRIQUE JOSE
Molinar Solis, Jesús Ezequiel
GARCIA LOZANO, RODOLFO ZOLA
Rosales Quintero, Pedro
ROCHA PEREZ, JOSE MIGUEL
DIAZ SANCHEZ, ALEJANDRO
MORALES ACEVEDO, JOSE ARTURO
Fecha de publicación
2014-02-23
Editor
Hindawi Publishing Corporation
Tipo de documento
Artículo
Palabras clave
Fowler-Nordheim

Los documentos depositados en el Repositorio Institucional de la Universidad Autónoma del Estado de México se encuentran a disposición en Acceso Abierto bajo la licencia Creative Commons: Atribución-NoComercial-SinDerivar 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0)

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